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陶瓷电容的结构和主要加工环节

发布日期:2021-02-12 07:52 作者:3分赛车

  如下面图的瓷片电容的结构,内电极导体一般为Ag或AgPd,陶瓷介质一般为BaTiO3,多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层(外电极)一般为烧结Ag/AgPd,然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料,防止其和外部Sn发生反应),再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以

  下面简单介绍一下陶瓷电容的主要加工环节:a)备料成型:原料经过煅烧、粉碎与混和后,达到一定的颗粒细度,原则上颗粒越细越好。然后根据电容器结构形状,进行陶瓷介质坯件成型;b)烧成:对瓷坯进行高温处理,是其成为具有高机械强度、优良电气性能的瓷体。烧成温度一般在1300℃以上。高温保持时间过短,固相反应不完全彻底,影响整个坯体结构,造成电性能恶化,是所谓“生烧”;高温保持时间过长,使坯体起泡变形以及晶粒变大,同样恶化电性能,造成“过烧”;c)然后是电极制造,引线焊接,涂覆,包封;

  1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容器。30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。

  1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。而陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。

  陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

  由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。

  陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器;按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器;按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。

  陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。

  Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。

  Ⅱ类陶瓷电容器(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。3

  按美国电工协会(EIA)标准为C0G(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为COG)或NP0(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为NPO)以及我国标准的CC系列等型号的陶瓷介质(温度系数为0±30PPM/℃),这种介质极其稳定,温度系数极低,而且不会出现老化现象,损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响,介电系数可以达到400,介电强度相对高。这种介质非常适用于高频(特别是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线发射等应用的高频功率电容器)、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境,这种介质电容器唯一的缺点是电容量不能做得很大(由于介电系数相对小),通常1206表面贴装C0G介质电容器的电容量从0.5PF~0.01μF。

  Ⅱ类的稳定级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的X7R、X5R以及我国标准的CT系列等型号的陶瓷介质(温度系数为±15.0%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到1200),因而电容量可以做得比较大,适用于对工作环境温度要求较高(X7R:-55~+125℃)的耦合、旁路和滤波。通常1206的SMD封装的电容量可以达到10μF或在再高一些;

  II类的可用级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的Z5U、Y5V以及我国标准的CT系列的低档产品型号等陶瓷介质(温度系数为Z5U的+22%,-56%和Y5V的+22%,-82%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到1000~12000),因而电容量可以做得比更大,适用于一般工作环境温度要求(-25~+85℃)的耦合、旁路和滤波。通常1206表面贴装Z5U、Y5V介质电容器量甚至可以达到100μF,在某种意义上是取代钽电解电容器的有力竞争对手。

  NPO是美国军用标准(MIL)中的说法,其实应该是NP0(零),但一般大家习惯写成NPO(欧)。这是Negative-Positive-Zero的简写,用来表示的温度特性。说明NPO的电容温度特性很好,不随正负温度变化而出现容值漂移。

  从前面我们已经知道,C0G是I类陶瓷中温度稳定性最好的一种,温度特性近似为0,满足“负-正-零”的含义。所以C0G其实和NPO是一样的,只不过是两个标准的两种表示方法(当然,容值更小、精度略差一点的C0K、C0J等也是NPO电容)。类似的,U2J对应于MIL标准中的组别代码为N750。

  NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

  同样的,Y5V正常工作温度范围在-30℃~+85℃,对应的电容容量变化为+22~-82%;而Z5U正常工作温度范围在+10℃~+85℃,对应的电容容量变化为+22~-56%。

  电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上分主要有:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点

  (1)容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%。精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。

  (2)额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。

  (3)温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

  (4)绝缘电阻(IR):用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。一般C0G类》1000ΩF,X7R和Y5V类》500ΩF

  (5)损耗(DF):在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。损耗最为标准的写法:使用百分率写法例如:COG要求〈0.015%;X7R〈2.5%;Y5V〈3.5%一般地COG类《10*10-4;X7R类《250*10-4;Y5V类《500*10-4。

  (6)频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。不同品种的电容器,最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。

  TCC:温度容量特性,注意同为X7R产品其常温附近的容量稳定性不一样。ESR:等效串联电阻ESL:等效串联电感Q值:是DF、ESR、ESL的综合,在高频电路中加倍关注。

  在片式多层元器件类型中,ESR(Res)主要由介质层电阻、内电极层电阻、各接触面电阻和端电极电阻等四个方面组成;其中各接触面电阻包括端电极与内电极的接触,不同的端电极电镀层间的接触等;Res对频率是较为敏感的,并随频率的增加而增加,因为:

  1.接触电阻-电极间接触形成的间隙式裂缝是容性阻抗(Z=1/(2*pi*f*C)),从而导致Res在刚开始时随频率的增加而下降。

  2.趋肤效应-内电极和端电极由于趋肤效应,阻抗随频率的增加而增加,最终将抵消接触电阻所产生ESR下降的影响。

  3.电介质极化-随电介质中的极化定向,大量的能量被储备,从而呈现阻抗随频率增大而增大。

  贴片陶瓷电容的ESL与贴片固体钽电容类似,同为SMD器件,具有比较小的ESL,但由于内部引线结构,瓷片的ESL又要比钽电容小很多,可用近似公式:

  来进行推算,比如1206封装,则L=12,W=6。ESL虽然与容量有关系,但相对而言,这个变化量很小,基本可以认为不变。

  1.陶瓷介质内空洞(Voids)导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染,烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内部局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸,甚至燃烧等严重后果。

  2.烧结裂纹(FiringCrack)烧结裂纹常起源于一端电极,沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关,裂纹和危害与空洞相仿。

  3.分层(Delamination)多层陶瓷电容器(MLCC)的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强,烧结过程中内部污染物挥发,烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿,为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。

  1.温度冲击裂纹(ThermalCrack)主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致,不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

  2.机械应力裂纹(FlexCrack)多层陶瓷电容器的特点是能够承受较大的压应力,但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲变形的操作都可能导致器件开裂。常见应力源有:贴片对中,工艺过程中电路板操作;流转过程中的人、设备、重力等因素;通孔元器件插入;电路测试、单板分割;电路板安装;电路板定位铆接;螺丝安装等。该类裂纹一般起源于器件上下金属化端,沿45℃角向器件内部扩展。该类缺陷也是实际发生最多的一种类型缺陷。

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  和特点 10mA 最大电源电流 ESD 保护等级超过 ±10kV 使用小的电容器:0.1μF 120kBaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 1000pF) 输出可承受 ±30V 而不受损 不亚于 CMOS 器件的低功率:40mW 采用单 5V 电源工作 坚固型双极性设计 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 满足所有的 RS232 规格要求 可提供带或不带停机功能的版本 绝对无闭锁现象 采用 SO 封装 产品详情 LT®1280A / LT1281A 是双通道 RS232 驱动器 / 接收器对,其具有集成化充电泵,以依靠单 5V 电源产生 RS232 电压电平。这些电路采用坚固型双极性设计,以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。这些电路仅采用 0.1μF 外部电容器,消耗功率仅为 40mW,其传输速率可达 120kbaud,甚至在驱动重的容性负载时也不例外。芯片上的新型 ESD 结构使得 LT1280A / LT1281A 能够安然承受多次 ±10kV ESD 冲击,从而免除了在 RS232 线路引脚上增设昂贵 TransZorbs® 的需要。LT1280A / LT1281A 完全符合 EIA RS232 标准。驱动器输出得到了过载保护,并可短路至地或高达 ±30V...

  和特点 所有的滤波器参数均在整个温度范围内得到保证 宽的中心频率范围 (0.1Hz 至 40kHz) 低噪声、宽动态范围 可实现有保证的运行性能 (对于 ±2.37V 和 ±5V 电源) 低功耗 有保证的时钟至中心频率准确度:0.8% 有保证的低偏移电压 (在整个温度范围内) 非常低的中心频率和 Q 温度系数 时钟输入可兼容 T2L 或 CMOS 单独的高通 (或者陷波或全通)、带通、低通输出 产品详情 LTC®1059 包含一个通用、高性能的有源滤波器单元式部件和一个独立的运放。滤波器单元式部件连同 2 至 5 个电阻器能够产生各种不同的二阶滤波器功能,这些功能可在其 3 个输出引脚上提供。这 3 个引脚中的 2 个始终提供低通和带通滤波功能,而第三个输出引脚则能够提供陷波或者高通或全通滤波功能。这些滤波器功能的中心频率可在 0.1Hz 至 40kHz 的范围内调谐,并且取决于一个外部时钟或一个外部时钟和电阻比。滤波器能处理高达 100kHz 的输入频率。对于增益调节或级联方法,独立的运放可用于获得额外的全通和陷波滤波功能。高于 2 阶的滤波器功能可通过级联 LTC1059 和 LTC1060 双通道通用型滤波器或 LTC1061 三通道通用型滤波器获得。可以形成任何经典的滤波器配置 (比...

  和特点 具 120dB CMRR 的仪表前端精确的电荷平衡开关操作采用 3V 至 18V 电源工作内部或外部时钟可在高达 5MHz 时钟速率下工作低功率具有一个时钟的两个独立部分 产品详情 LTC®1043 是一款单片式、电荷平衡、双通道开关电容器仪表单元式部件。一对开关交替地把一个外部电容器连接至一个输入电压,然后把这个充了电的电容器连接在一个输出端口的两端。内部开关具有一个 “先断后合” 动作。该器件提供了一个内部时钟,这个时钟的频率可利用一个外部电容器进行调节。另外,LTC1043 还可利用一个外部 CMOS 时钟来驱动。当使用低时钟频率时,LTC1043 可提供超精准的 DC 功能,并不需要精确的外部组件。此类功能是差分电压至单端转换、电压倒相、电压倍增以及二分压、三分压、四分压、五分压等等。LTC1043 还可用于精确的电压–频率 (V–F) 和频率–电压 (F–V) 转换电路 (无需修整),而且,它也是一款用于开关电容滤波器、振荡器和调制器的单元式部件。LTC1043 运用凌力尔特 (现隶属 ADI) 的增强型 LTCMOS™ 硅栅工艺制造。应用精准仪表放大器超精准电压倒相器、倍增器和分压器V–F 和 F–V 转换器采样及保持开关电容滤波器 ...

  和特点 Low Power, IS = 60µA(Max) Robust, Latch Up Proof Instrumentation Front End with 120dB CMRR Precise, Charge-Balanced Switching Operates from 5V to 18V Internal or External Clock Operates up to 5MHz Clock Rate Two Independent Sections with One Clock Tiny SSOP-16 Package 产品详情 The LTC®6943 is a monolithic, charge-balanced, dual switched capacitor instrumentation building block. A pair of switches alternately connects an external capacitor to an voltage and then connects the charged capacitor across an output port. The internal switches have a break-before-make action. An internal clock is provided and its frequency can be adjusted with an external capacitor. The LTC6943 can also be driven with an external CMOS clock.The LTC6943, when used with low clock frequencies, provides ultra precision DC functions without requiring precise external components. Such functions are differential voltage to single-en...

  LT1139A 采用小电容器的先进低功率 5V RS232 驱动器 / 接收器

  和特点 ESD保护等级超过 ±10kV(对于 LT1133A、LT1137A 和 LT1141A 为 ±15kV IEC-1000-4-2) 使用小的电容器:0.1μF、0.2μF 在停机 (SHUTDOWN) 模式中电源电流为 1μA 120kbaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 2500pF) 250kbaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 1000pF) 与 CMOS 器件相似的低功率 简易的 PC 布局:直通式架构 坚固型双极性设计:绝对无闭锁现象 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 改进的保护能力:RS232 I/O 线V 而不致受损 输出过压不会强迫电流返回到电源中 可提供 SO 封装和 SSOP 封装 产品详情 LT®1130A / LT1140A 系列 RS232 收发器采用了特殊的双极型结构技术,可在故障情况超过针对 RS232 所规定的限值时保护驱动器和接收器免受损坏。驱动器输出和接收器输入可短接至 ±30V,并不会损坏器件或电源发生器。此外,RS232 I/O 引脚能安然承受多次 ±10kV ESD 冲击。一个先进的驱动器输出级在驱动重的容性负载时传输速率高达 250kbaud。电源电流通常为 12mA,这与 CMOS 器件不相上下。隶属该系列的一些器件具有灵活的操作模式控制功能。DRIVER DISAB...

  LT1281A 采用 0.1μF 电容器的低功率 5V RS232 双通道驱动器 / 接收器

  和特点 10mA 最大电源电流 ESD 保护等级超过 ±10kV 使用小的电容器:0.1μF 120kBaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 1000pF) 输出可承受 ±30V 而不受损 不亚于 CMOS 器件的低功率:40mW 采用单 5V 电源工作 坚固型双极性设计 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 满足所有的 RS232 规格要求 可提供带或不带停机功能的版本 绝对无闭锁现象 采用 SO 封装 产品详情 LT®1280A / LT1281A 是双通道 RS232 驱动器 / 接收器对,其具有集成化充电泵,以依靠单 5V 电源产生 RS232 电压电平。这些电路采用坚固型双极性设计,以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。这些电路仅采用 0.1μF 外部电容器,消耗功率仅为 40mW,其传输速率可达 120kbaud,甚至在驱动重的容性负载时也不例外。芯片上的新型 ESD 结构使得 LT1280A / LT1281A 能够安然承受多次 ±10kV ESD 冲击,从而免除了在 RS232 线路引脚上增设昂贵 TransZorbs® 的需要。LT1280A / LT1281A 完全符合 EIA RS232 标准。驱动器输出得到了过载保护,并可短路至地或高达 ±30V...

  和特点 低电源电流:200μA无需外部组件最大失调电压:10μV最大失调电压漂移:0.1μV/°C单电源操作:4.75V 至 16V输入共模范围包括地电位输出摆动至地电位典型过载恢复时间:6ms采用 8 引脚 SO 封装和 PDIP 封装 产品详情 LTC®1049 是一款高性能、低功率零漂移运算放大器。其他斩波器稳定型放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器实现了片内集成。而且,LTC1049 还提供优越的 DC 和 AC 性能,标称电源电流仅为 200μA。LTC1049 具有 2μV 的典型失调电压、0.02μV/°C 的漂移、3μVP-P 的 0.1Hz 至 10Hz 输入噪声电压、和 160dB 的典型电压增益。转换速率为 0.8V/μs,增益带宽乘积为 0.8MHz。从饱和状态的过载恢复时间为 6ms,比采用外部电容器的斩波放大器有了显著的改善。LTC1049 采用标准的 8 引脚塑料双列直插式封装以及 8 引脚 SO 封装。LTC1049 可以作为大多数标准运放的插入式替代产品,其拥有改善的 DC 性能和实质性的节能效果。应用4mA 至 20mA 电流环路热电偶放大器电子衡器医疗仪表应变仪放大器高分辨率数据采集 方框图...

  LTC4425 具电流限制理想二极管和电压 / 电流 (V/I) 监视器的线性超级电容器充电器

  和特点 50mΩ 理想二极管 (从 VIN 至 VOUT) 智能充电电流模式可限制浪涌电流 内部电池平衡器 (无外部电阻器) 可编程输出电压 (LDO 模式) 可编程 VIN 至 VOUT 电流限值 可通过 PROG 引脚连续监视 VIN 至 VOUT 电流 低静态电流:20μA VIN 电源故障、PGOOD 指示器 2.45V/2.7V 电池保护分路 (4.9V/5.4V 超级电容器最大 Top-Off 电压) 3A 峰值电流限值,热限制 纤巧型应用电路,3mm x 3mm x 0.75mm DFN 封装和 12 引脚 MSOP 封装  产品详情 LTC®4425 是一款恒定电流/恒定电压线性充电器,专为从一个锂离子/锂聚合物电池、一个 USB 端口或一个 2.7V 至 5.5V 电流限制电源对一个两节超级电容器电池组进行充电而设计。该器件起一个理想二极管的作用,并具有一个极低的 50mΩ 接通电阻,从而使其成为高峰值功率/低平均功率应用的合适之选。LTC4425 能够以一个恒定充电电流将输出电容器充电至一个外部设置的输出电压 (在 LDO 模式中),或者运用一种智能充电电流模式将输出电容器充电至 VIN (在标准模式中) 以限制浪涌电流,直到 VIN 至 VOUT 之差少于 250mV 为止。此外,也可把 LTC4...

  LTC3128 具准确输入电流限值的 3A、单片式、降压-升压型超级电容器充电器和平衡器

  和特点 准确度达 ±2% 的可编程 (高达 3A) 平均输入电流限值可编程最大电容器电压限值主动电荷平衡用于实现不匹配电容器的快速充电可给单个电容器或堆叠式电容器充电VIN 范围:1.73V 至 5.5VVOUT 范围:1.8V 至 5.5V当充电时从 VOUT 吸收的静态电流 2μA在停机模式中提供输出断接:1μA IQ 停机电流电源良好比较器电源故障指示器耐热性能增强型 20 引脚 (4mm x 5mm x 0.75mm) QFN 封装和 24 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3128 是一款高效率、降压-升压型 DC/DC 超级电容器充电器。其可在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下高效运作。LTC3128 具有准确的可编程平均输入电流限值、主动电荷平衡功能和可编程最大电容器电压。这种特性组合使得 LTC3128 非常适合于对后备电源系统中的大电容器进行安全的充电和保护。输入电流限值和最大电容器电压均采用单个电阻器来设置。平均输入电流可在一个 0.5A 至 3A 的可编程范围内进行准确的控制,而个别的最大电容器电压则可以设定在 1.8V 至 3.0V 之间。LTC3128 的其他特点包括在突发模式 (Burst Mode®) 操作中从VOUT 吸收的静态电流2μA、准确的电源良...

  和特点 用于提供系统后备电源的双向同步升压型电容器充电器 / 降压型稳压器宽输入电压范围:3V 至 17V高达 40V 的电容器电压存储器用于提供高能量后备2A 的最大 CAP 充电电流集成型 N 沟道功率 MOSFET (150mΩ 上管和 75mΩ 下管)用于实现输出 / CAP 断接的集成型 N 沟道功率 MOSFET (50mΩ)充电期间的输入电流限制快速 1MHz 开关频率用于系统电压调节的 ±1% 基准准确度用于指示充电状态和输入电源故障的指示器输出扁平 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3643 是一款双向同步升压型充电器和降压型转换器,其能够采用一个电压介于 3V 至 17V 之间的输入电源有效地给一个高达 40V 的电容器阵列充电。当输入电源降至低于可编程的电源故障门限时,升压型充电器作为一个同步降压型稳压器反向运作,以在这种电源中断 / 故障情况下从后备电容器来给系统电压轨供电。当给后备电容器充电时,可以采用一个外部低值检测电阻器来保持一个准确的电流限值 (针对来自输入电源的电流) 或执行电源通路 (PowerPath™) 功能。降压型转换器工作在一个 1MHz 的开关频率,因而允许使用小的外部组件。调节期间的低静态电流可最大限度地减少后备...

  LTC3110 2A、双向、降压-升压型 DC/DC 稳压器和充电器 / 平衡器

  和特点 VCAP 工作范围:0.1V 至 5.5VVSYS 工作范围:1.71V 至 5.25V从充电模式至后备模式的自动切换准确度为 ±2% 的可编程充电输入电流限值从 125mA 至 2A±1% 后备电压准确度自动后备电容器平衡固定的 1.2MHz 开关频率突发模式 (Burst Mode®) 操作:40μA 静态电流具集电极开路输出的内置可编程通用型比较器用于指示操作方向和充电结束的集电极开路输出耐热性能增强型 TSSOP-24 封装和 4mm x 4mm QFN-24 封装 产品详情 LTC®3110 是一款具有电容器充电器和平衡器的 2A 双向降压-升压型 DC/DC 稳压器。该器件拥有很宽的 0.1V 至 5.5V 电容器 / 电池电压和 1.8V 至 5.25V 系统后备电压范围,从而使其非常适合于众多采用超级电容器或电池的后备应用。一种专有的低噪声开关算法优化了效率,且电容器 / 电池电压可高于、低于或等于系统输出电压。LTC3110 能够根据一个外部命令自主地从充电模式转换至后备模式或开关模式。引脚可选的突发模式操作可减小待机电流和改善轻负载效率,其与 1μA 的停机电流相组合,使得 LTC3110 成为后备应用的理想选择。这款器件的其他特点包括用于方向控制和充电结束的电压监控器,以及一个具有...

  LTC3355 具集成型 SCAP 充电器和后备稳压器的 20V 1A 降压型 DC/DC 系统 IC

  和特点 VIN 电压范围:3V 至 20VVOUT 电压范围:2.7V 至 5V1A 电流模式降压主稳压器采用单个超级电容器向 5A 升压型后备稳压器供电升压型稳压器可在低至 0.5V 的电压条件下运作,以最大限度地利用超级电容器的储能可编程超级电容器充电电流至 1A,并具过压保护功能充电器可支持单节 CC/CV 电池充电可编程 VIN 电流限值可编程升压电流限值VIN 电源故障指示器VCAP 电源良好指示器VOUT 上电复位输出紧凑型 20 引脚 4mm x 4mm QFN 封装 产品详情 LTC®3355 是一款完整的输入电源中断凌驾 DC/DC 系统。该器件可在向 VOUT 输送负载电流的同时给一个超级电容器充电,并在 VIN 电源缺失的情况下使用来自超级电容器的能量以提供连续的 VOUT 后备电源。LTC3355 包含一个异步、恒定频率、电流模式、单片 1A 降压型开关稳压器,以采用一个高达 20V 的输入电源来提供 2.7V 至 5V 的稳定输出电压。一个 1A 可编程恒定电流 / 恒定电压 (CC/CV) 线性充电器负责从 VOUT 给超级电容器充电。当 VIN 电源降至低于 PFI 门限时,该器件的恒定频率、异步、电流模式 5A 升压型开关稳压器将从超级电容器向 VOUT ...

  LTC3625 具自动电池平衡功能的 1A、高效率、两节超级电容器充电器

  和特点 两个串联超级电容器的高效率升压/降压充电 自动电池平衡可防止电容器在充电期间出现过压状况 高达 500mA (单个电感器)、1A (双电感器) 的可编程充电电流 VIN = 2.7V 至 5.5V 每节超级电容器可选的 2.4V/2.65V 稳压 (LTC3625) 每节超级电容器可选的 2V/2.25V 稳压 (LTC3625-1) 低的无负载静态电流:23μA 在停机模式中 IVOUT、IVIN 1μA 扁平 12 引脚 3mm x 4mm DFN 封装   产品详情 LTC®3625/LTC3625-1 是可编程超级电容器充电器,专为从一个 2.7V 至 5.5V 输入电源将两个串联超级电容器充电至一个固定输出电压 (可选择 4.8V/5.3V 或 4V/4.5V) 而设计。自动电池平衡功能可在实现充电速率最大化的同时防止任一个超级电容器遭受过压损坏。无需使用平衡电阻器。 高效率、高充电电流、低静态电流和极低的外部组件数目 (一个电感器、VIN 上的一个旁路电容器和一个编程电阻器) 使得 LTC3625/LTC3625-1 非常适合小外形的后备或高峰值功率系统。 充电电流/最大输入电流水平利用一个外部电阻器来设置。当输入电源拿掉和/或 EN 引脚为低电平时,LTC3625/LTC3625-1 将自动进入一种低电流状态,此...

  和特点 可对 1 ~ 4 节串联超级电容器进行高效同步降压型恒流/恒压 (CC/CV) 充电后备模式中的升压模式可提供更高的超级电容器储能利用率14 位 ADC 用于监视系统电压 / 电流、电容值和 ESR主动过压保护分路内部有源平衡器 ── 无需平衡电阻VIN:4.5V ~ 35V,VCAP(n):每个电容器高达 5V,充电 / 后备电流:10+A可编程输入电流限制将系统负载的优先级确定为高于电容器充电电流双通道理想二极管电源通路 (PowerPath™) 控制器全 N-FET 充电器控制器和 PowerPath 控制器紧凑型 38 引脚 5mm x 7mm QFN 封装 产品详情 LTC®3350 是一款后备电源控制器,能够对一个含有 1 至 4 个超级电容器的串联堆栈进行充电和监视。LTC3350 的同步降压型控制器负责驱动 N 沟道 MOSFET,利用可编程输入电流限值实现恒流 / 恒压充电。此外,降压转换器还可作为一个升压转换器反向运行以从超级电容器组向后备电源轨输送电能。内部平衡器免除了增设外部平衡电阻的需要,而且每个电容具有一个用于提供过压保护的分路调节器。LTC3350 可监视系统电压、电流、电容组电容和电容组 ESR,这些信息均可通过 I2C / SMBus 读取。双通道理想二极管控...

  和特点 具电路断路器的集成化热插拔控制器可对 1 至 4 节串联超级电容器进行高效率同步降压型恒定电流 / 恒定电压 (CC/CV) 充电后备模式中的升压模式可提供更高的超级电容器储能利用率16 位 ADC 用于监视系统电压 / 电流、电容和 ESR可编程欠压和过压门限至 35VVIN:4.5V 至 35V,VCAP(n):每个电容器高达 5V,充电 / 后备电流:10A可编程输入电流限制把系统负载的优先级确定为高于电容器充电电流全 N-FET 充电器控制器和 PowerPath 控制器紧凑型 44 引脚 4mm x 7mm QFN 封装 产品详情 LTC®3351 是一款后备电源控制器,其能够对一个含有 1~4 个超级电容器的串联堆栈进行充电和监察。LTC3351 的同步降压型控制器负责驱动 N 沟道 MOSFET,以利用可编程输入电流限值实现恒定电流 / 恒定电压充电。此外,降压转换器还可作为一个升压转换器反向运行,以从超级电容器组向后备电源轨输送电能。内部平衡器免除了增设外部平衡电阻器的需要,而且每个电容器具有一个用于提供过压保护的分路调节器。LTC3351 可监视系统电压、电流、电容器组电容和电容器组 ESR,这些信息均可通过 I2C / SMBus 端口读取。热插拔控制器采用...

  和特点 2.5A 降压超级电容器充电器和 2.5A 升压备份电源 适用于使用一个超级电容器或两个串联超级电容器的 2.5A 备份电源的 6.5A 开关 输入电流限制将负载优先于充电电流进行处理 输入断开开关可在备份期间隔离输入 自动无缝切换到备份模式 内部超级电容器平衡器(无外部电阻器) 可编程充电电流和充电电压 输入电源故障指示器 系统电源正常指示器 可选 OVP 电路可保护器件不受 60V 电压影响 恒频运行 热增强 24 引脚 4mm × 5mm QFN 封装 产品详情 LTC4041 是适用于 2.9V 至 5.5V 电源轨的完整超级电容器备份系统。它包含高电流降压直流/直流转换器,用于为单个超级电容器或两个串联超级电容器充电。当输入电源不可用时,降压稳压器将作为升压稳压器反向运行,从超级电容器备份系统输出。LTC4041 的可调输入电流限制功能可降低充电电流,从而保护输入电源免受过载影响,同时,外部断开开关会在备份期间隔离输入电源。当输入电源降至可调 PFI 阈值以下时,2.5A 升压稳压器会从超级电容器向系统输出供电。可选的输入过压保护 (OVP) 电路可保护 LTC4041,避免在 VIN 引脚处发生高电压损坏。内部超级电容器平衡电路可在每个超级电容器...

  LT1141A 采用小电容器的先进低功率 5V RS232 驱动器 / 接收器

  和特点 ESD 保护等级超过 ±10kV(对于 LT1133A、LT1137A 和 LT1141A 为 ±15kV IEC-1000-4-2) 使用小的电容器:0.1μF、0.2μF 在停机 (SHUTDOWN) 模式中电源电流为 1μA 120kbaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 2500pF) 250kbaud 传输速率 (RL = 3k,CL = 1000pF) 与 CMOS 器件相似的低功率 简易的 PC 布局:直通式架构 坚固型双极性设计:绝对无闭锁现象 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 改进的保护能力:RS232 I/O 线V 而不致受损 输出过压不会强迫电流返回到电源中 可提供 SO 封装和 SSOP 封装 产品详情 LT®1130A / LT1140A 系列 RS232 收发器采用了特殊的双极型结构技术,可在故障情况超过针对 RS232 所规定的限值时保护驱动器和接收器免受损坏。驱动器输出和接收器输入可短接至 ±30V,并不会损坏器件或电源发生器。此外,RS232 I/O 引脚能安然承受多次 ±10kV ESD 冲击。一个先进的驱动器输出级在驱动重的容性负载时传输速率高达 250kbaud。电源电流通常为 12mA,这与 CMOS 器件不相上下。隶属该系列的一些器件具有灵活的操作模式控制功能。DRIVER DISA...


3分赛车
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